Wissenschaftlicher Mitarbeiter - Design & Simulation von GaN Bauelementen (all genders)
Fraunhofer-Gesellschaft – Itzehoe
Kurzbeschreibung der Position
Das Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT in Itzehoe sucht einen Wissenschaftlichen Mitarbeiter (all genders) für Design & Simulation von GaN Bauelementen. Die Stelle ist zunächst auf zwei Jahre befristet, mit der Möglichkeit einer langfristigen Zusammenarbeit.
Hauptaufgaben
Die Position umfasst die Entwicklung von Prozessen und Bauelementen auf Galliumnitrid-Basis, einschließlich lateraler AlGaN/GaN-HEMTs, vertikaler GaN MOSFETs und Dioden, sowie GaN-basierte MEMS, Sensoren und mikroelektronische Bauelemente.
Qualifikationen und Fähigkeiten
Die Stellenanzeige enthält keine spezifischen Qualifikations- oder Fähigkeitsanforderungen.
Arbeitsort / Rahmenbedingungen
Der Arbeitsort ist Itzehoe. Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Das Institut bietet eine zukunftsweisende Forschungs- und Fertigungsumgebung mit einem technologieorientierten Gerätepark und Reinräumen.