Wissenschaftler - GaN-Epitaxie / MOCVD (all genders)

Kurzbeschreibung der Position

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF sucht Verstärkung für die Abteilung »Epitaxie« zur Stärkung der europäischen Halbleiterfertigungskapazität. Die Arbeit umfasst die Weiterentwicklung von MOCVD-Produktionsprozessen für GaN-Bauelementstrukturen sowie die Akquisition und Steuerung von Projekten zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.

Hauptaufgaben

• Weiterentwicklung von MOCVD-Produktionsprozessen für GaN-Bauelementstrukturen hinsichtlich Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit in Zusammenarbeit mit Kollegen.
• Akquisition und Steuerung nationaler und internationaler Projekte zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie, in Zusammenarbeit mit dem Geschäftsfeld »Leistungselektronik«.
• Interdisziplinäre Zusammenarbeit mit den Abteilungen »Technologie« und »Mikroelektronik« zur Entwicklung zukunftsweisender Lösungen.

Arbeitsort / Rahmenbedingungen

Die Stelle befindet sich am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF. Die Arbeit erfolgt in enger Zusammenarbeit mit der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD).