Wissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt Galliumnitrid
Fraunhofer-Gesellschaft – Freiberg
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Ort:
Freiburg
Datum:
20.06.2026
Wissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt Galliumnitrid
Die Fraunhofer-Gesellschaft ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 74 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer: 30 000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas verändern. Für sich, für uns und die Märkte von heute und morgen.
INNOVATIONEN AUS EINER HANDVERÄNDERUNG STARTET MIT UNSAm Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenzschaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.Wir suchen Sie als Wissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt GalliumnitridIn der Abteilung »Epitaxie« arbeiten wir im Rahmen unserer Pilotlinie an der Stärkung der europäischen Halbleiterfertigungskapazität. Wir arbeiten eng mit der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) zusammen und leisten so einen wichtigen Beitrag zur Stärkung der europäischen Wettbewerbsfähigkeit im Bereich der Halbleitertechnologien. Mit unseren modernen Produktionsanlagen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) stellen wir Epitaxie-Wafer für mikroelektronische Bauelemente für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik auf Basis des Halbleitermaterials GaN her.
Was Sie bei uns tun
Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie MOCVD-Produktionsprozesse für GaN-Bauelementstrukturen weiter, insbesondere hinsichtlich Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.In Zusammenarbeit mit dem Geschäftsfeld »Leistungselektronik« akquirieren und steuern Sie nationale sowie internationale Projekte zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.Sie arbeiten interdisziplinär mit den Abteilungen »Technologie« und »Mikroelektronik«, um zukunftsweisende Lösungen zu entwickeln.
Was Sie mitbringen
Wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Materialwissenschaft oder Mikrosystemtechnik oder einer ähnlichen Fachrichtung; Promotion ist von Vorteil, jedoch nicht zwingend erforderlichErfahrung in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), insbesondere in der GaN-Elektronik, sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer HalbleiterbauelementeErfahrung in einem industriellen Umfeld und/oder Erfahrungen in Akquise und Leitung von Projekten sind ein PlusSelbstständige Arbeitsweise mit der Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeitenVerhandlungssichere EnglischkenntnisseTeamfähigkeit, Kommunikationsstärke und Begeisterung für experimentelle Arbeit
Was Sie erwarten können
Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten WertschöpfungsketteBreit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres ArbeitenAnwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen AuftraggebernKontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen ForschungAustausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der IndustrieModernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives GestaltenFachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen FachkonferenzenUmfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates)Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.)Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut
Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren.
Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität.Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung suchen wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern.Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier:Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF
Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.
Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich jetzt online mit Ihren aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!
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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Kennziffer:84247Bewerbungsfrist:
Stellensegment:Pilates, Developer, Web Design, Hospitality, Technology, Creative
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