Scientist (all genders) - GaN Epitaxy / MOCVD

Kurzbeschreibung der Position

Die Fraunhofer-Gesellschaft sucht einen Wissenschaftler (alle Geschlechter) für die Epitaxie von GaN-Heterostrukturen. Die Position umfasst die Weiterentwicklung von MOCVD-Produktionsprozessen und die Mitarbeit an nationalen und internationalen Projekten zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.

Hauptaufgaben

• Weiterentwicklung von MOCVD-Produktionsprozessen für GaN-Komponentenstrukturen hinsichtlich Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.
• Akquisition und Management von nationalen und internationalen Projekten zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie in Zusammenarbeit mit dem Geschäftsbereich Power Electronics.
• Interdisziplinäre Zusammenarbeit mit den Abteilungen Epitaxie und Mikroelektronik zur Entwicklung innovativer Lösungen.
• Mitwirkung am Ausbau der europäischen Halbleiterfertigungskapazität im Rahmen einer Pilotlinie in enger Zusammenarbeit mit der Research Fab Microelectronics Germany (FMD).
• Herstellung epitaktischer Wafer für mikroelektronische Bauelemente auf Basis des Halbleitermaterials GaN für Anwendungen in Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik.

Qualifikationen und Fähigkeiten

(Keine explizit im Originaltext genannt)

Arbeitsort / Rahmenbedingungen

Die Fraunhofer-Gesellschaft betreibt 76 Institute und Forschungseinheiten in Deutschland und ist eine führende angewandte Forschungsorganisation mit rund 32.000 Mitarbeitern und einem jährlichen Forschungsbudget von 3,4 Milliarden Euro. Die Stelle befindet sich am Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF.