Scientist (all genders) - GaN Components, Circuits & Modules

Scientist (all genders) - GaN Components, Circuits & Modules

Die Fraunhofer-Gesellschaft ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 75 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer gesagt: 32.000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas bewegen. Für sich selbst, für uns und für die Märkte von heute und morgen.

DIE ZUKUNFT GESTALTEN — TECHNOLOGISCH und PROFESSIONELL.

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn wir sind eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit, die Forschung entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten betreiben. Ob Hochfrequenzschaltungen für die Kommunikationstechnik, Spannungswandlermodule für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messprozesse oder innovative Hardware und Software für Quantencomputer und Quantensensoren: wir entwickeln die Technologie von morgen im eigenen Haus für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Wann kommen Sie zu uns?

What you will do

Die Abteilung Mikroelektronik (ME) entwirft mikroelektronische Komponenten und Schaltungen für die Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Systeme für die Sensorik, Kommunikationstechnik und Leistungselektronik werden auf Basis von Hochfrequenzmodulen entwickelt. Wir sind zudem mit modernster Messtechnik ausgestattet. Ihre Aufgaben umfassen:

• Gemeinsam mit uns entwickeln, entwerfen und implementieren Sie leistungsstarke GaN-Komponenten, Schaltungen und Module für Hochfrequenzanwendungen bis zu 10 GHz.
• Ihre Expertise trägt zur Realisierung bahnbrechender Hochfrequenzsysteme, Kommunikationslösungen und Radartechnologien bei.
• Sie sind von der Konzeptphase bis zur Charakterisierung aktiv beteiligt und bringen Ihre Ideen in spannende Projekte ein.

What you bring to the table

• Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) im Bereich Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik oder Nachrichtentechnik, idealerweise mit einer Promotion
• Umfassende Kenntnisse im Systemdesign für leistungsstarke HF-Komponenten, z. B. mit Signalflussdiagrammen, Berechnung der erforderlichen Leistung, Verstärkung und Effizienz
• Erfahrung im Entwurf hybrider Hochfrequenzmodule bis zu 10 GHz
• Sicherer Umgang mit Schaltungssimulationsprogrammen und EM-Simulationswerkzeugen (ADS, CST, HFSS)
• Expertise in der metrologischen Charakterisierung von Halbleiterkomponenten, beispielsweise durch S-Parameter und Load-Pull
• Erfahrung in Forschungs- und Industrieprojekten, idealerweise in einer Führungsposition
• Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse sowie Teamgeist, starke Kommunikationsfähigkeit und eine unabhängige wissenschaftliche Arbeitsweise

What you can expect

• Zugang zu einer hochmodernen Forschungsinfrastruktur mit neuester Technologie im Bereich der Hochfrequenzelektronik
• Engagierte Zusammenarbeit mit innovativen Teams und der Industrie an spannenden Projekten
• Freiraum für Kreativität und die Möglichkeit, Ihre eigene Forschung zu gestalten und sich aktiv am wissenschaftlichen Austausch zu beteiligen
• Umfassende Entwicklungsmöglichkeiten durch ein breites Angebot an Schulungen und die Teilnahme an internationalen Konferenzen
• Eine Vielzahl zusätzlicher Leistungen, darunter eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), eine Bezuschussung des DeutschlandTickets und Gesundheitsleistungen
• Familienfreundlicher Arbeitsplatz mit Kita-Plätzen in der Kita „Junikäfer“ in Freiburg, einem kinderfreundlichen Büro, mobilem Arbeiten und umfassenden Beratungsdiensten für die Haus- und Altenpflege (pme Familienservice)
• Kostenlose Tiefgarage, E-Ladestationen und Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) sowie eine Bushaltestelle direkt am Institut

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet.

Wir schätzen und fördern die Vielfalt der Fähigkeiten unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Ideologie, Behinderung, sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – bei Bewerbern mit Behinderungen arbeiten wir gemeinsam an Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Das Gleiche gilt, wenn sie aufgrund einer Behinderung nicht alle Profilanforderungen erfüllen.

Mit ihrem Fokus auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien und der Verwertung von Ergebnissen in Wirtschaft und Industrie nimmt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess ein. Als Wegweiser und Katalysator für innovative Entwicklung und wissenschaftliche Exzellenz hilft sie, unsere Gesellschaft und unsere Zukunft zu gestalten.

Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt und bewegen Sie etwas! Sobald wir Ihre Online-Bewerbung (Anschreiben, Lebenslauf, relevante Zeugnisse) erhalten haben, erhalten Sie eine automatische Eingangsbestätigung. Wir werden uns dann so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen, um Ihnen das weitere Vorgehen mitzuteilen.

Haben Sie Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsprozess oder zur Barrierefreiheit? Benötigen Sie Unterstützung? Unsere Recruiterin ist hier, um zu helfen.

Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF

Requisition Number: 82585
Job Segment: Scientific, Research Scientist, Engineer, Semiconductor, Engineering, Science, Bilingual