Scientist (all genders) for MOCVD epitaxy with a focus on gallium nitride

Scientist (all genders) for MOCVD epitaxy with a focus on gallium nitride

Die Fraunhofer-Gesellschaft ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 74 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer gesagt: 30.000 Menschen aus den Bereichen Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas bewegen. Für sich selbst, für uns und für die Märkte von heute und morgen.

INNOVATIONEN AUS EINEM GUSS DER WANDEL BEGINNT BEI UNS DIE ZUKUNFT GESTALTEN — TECHNOLOGISCH und BERUFLICH Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn wir sind eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit, die Forschung entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten betreiben. Ob Hochfrequenzschaltungen für die Kommunikationstechnik, Spannungswandlermodule für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messprozesse oder innovative Hardware und Software für Quantencomputer und Quantensensoren: Wir entwickeln die Technologie von morgen im eigenen Haus für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Wir suchen Sie als Wissenschaftler (m/w/d) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt Galliumnitrid. Bringen Sie Ihre Expertise ein und freuen Sie sich auf spannende Herausforderungen, bei denen Sie innovative Prozesse weiterentwickeln und an bahnbrechenden Forschungs- und Entwicklungsprojekten in einem engagierten Umfeld arbeiten können. In der Abteilung Epitaxie arbeiten wir im Rahmen unserer Pilotlinie an der Stärkung der europäischen Halbleiterfertigungskapazitäten. Wir arbeiten eng mit der Research Fab Microelectronics Germany (FMD) zusammen und leisten damit einen wichtigen Beitrag zur Stärkung der europäischen Wettbewerbsfähigkeit im Bereich der Halbleitertechnologien. Mit unseren modernen metallorganischen Gasphasenepitaxie-Produktionsanlagen (MOCVD) fertigen wir epitaktische Wafer für mikroelektronische Bauelemente auf Basis des Halbleitermaterials GaN für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik.

Was Sie tun werden

Gemeinsam mit Ihren Kollegen werden Sie MOCVD-Produktionsprozesse für GaN-Komponentenstrukturen weiterentwickeln, insbesondere im Hinblick auf Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit. In Zusammenarbeit mit dem Geschäftsbereich Leistungselektronik werden Sie nationale und internationale Projekte akquirieren und steuern, um die europäische Halbleiterindustrie zu stärken. Sie werden interdisziplinär mit den Abteilungen Epitaxie und Mikroelektronik zusammenarbeiten, um wegweisende Lösungen zu entwickeln.

Was Sie mitbringen

• Abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Materialwissenschaften oder Mikrosystemtechnik oder ein vergleichbarer Abschluss, idealerweise mit einer Promotion
• Erfahrung in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), insbesondere in der GaN-Elektronik, sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente
• Freude und Begeisterung an der Überführung von Forschungsergebnissen in Anwendungen
• Eigenständige Arbeitsweise mit der Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten
• Teamgeist, starke Kommunikationsfähigkeit und Freude an experimenteller Arbeit
• Idealerweise: Erfahrung in einem industriellen Umfeld sowie in der Projektakquise und -steuerung
• Verhandlungssichere Englischkenntnisse

Was Sie erwarten können

• Wissenschaftlicher Hochschulabschluss (Master) in Physik, Materialwissenschaften, Mikrosystemtechnik oder einem verwandten Bereich; eine Promotion ist von Vorteil, aber nicht erforderlich
• Erfahrung in der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD), insbesondere in der GaN-Elektronik, sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente
• Erfahrung in einem industriellen Umfeld und/oder in der Akquise und Steuerung von Projekten sind ein Plus
• Englischkenntnisse auf Business-Niveau
• Teamplayer, starke Kommunikationsfähigkeiten und Begeisterung für experimentelle Arbeit

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. Die Einstellung, Vergütung und die sozialversicherungsrechtlichen Leistungen richten sich nach dem Tarifvertrag des öffentlichen Dienstes (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungsabhängige variable Vergütungskomponenten gewähren.

Wir schätzen und fördern die Vielfalt der Fähigkeiten unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer oder sozialer Herkunft, Religion, Überzeugung, Behinderung oder sexueller Orientierung und Identität. Menschen mit schweren Behinderungen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Rollen sind vielfältig und anpassungsfähig – mit Bewerberinnen und Bewerbern mit Behinderungen arbeiten wir gemeinsam an Lösungen, die ihre Fähigkeiten bestmöglich unterstützen. Weitere Informationen zur Barrierefreiheit finden Sie hier: Arbeiten am IAF mit Behinderungen

Mit ihrem Fokus auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien und der Verwertung von Ergebnissen in Wirtschaft und Industrie nimmt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess ein. Als Wegweiser und Katalysator für innovative Entwicklung und wissenschaftliche Exzellenz hilft sie, unsere Gesellschaft und unsere Zukunft zu gestalten.

Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt und bewirken Sie etwas! Sobald wir Ihre Online-Bewerbung (Anschreiben, Lebenslauf, relevante Zeugnisse) erhalten haben, erhalten Sie eine automatische Eingangsbestätigung. Wir werden uns dann so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen, um das weitere Vorgehen zu besprechen.

Haben Sie Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsprozess oder zur Barrierefreiheit? Benötigen Sie Unterstützung? Unsere Personalabteilung ist für Sie da.

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Requisitionsnummer: 84247
Bewerbungsfrist:

Job-Segment: Chemie, RF, Research Scientist, R&D Engineer, Materialwissenschaften, Wissenschaft, Ingenieurwesen