Process Engineer - Molecular Beam Epitaxy (MBE) (all genders)

Kurzbeschreibung der Position

Als erfahrener Absolvent eines technischen Fachhochschul- oder Universitätsstudiums im technischen-physikalischen Bereich arbeiten Sie in einem kreativen Forschungsumfeld auf höchstem professionellem Niveau. Die Position umfasst die Anwendung von Kenntnissen in Ultrahochvakuumtechnologie und molekularer Strahlepitaxie (MBE) kristalliner Halbleiterschichten im Betrieb von Großanlagen. Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Position ist zunächst auf zwei Jahre befristet, es wird jedoch eine langfristige Zusammenarbeit angestrebt. Teilzeitarbeit ist möglich.

Hauptaufgaben

Die Position beinhaltet die Arbeit mit molekularer Strahlepitaxie (MBE) zur Abscheidung von atomar dünnen, funktionellen Halbleiterschichten auf Halbleitersubstraten. Der Betrieb von Großanlagen gehört ebenfalls zu den Aufgaben.

Qualifikationen und Fähigkeiten

Erforderlich ist ein Abschluss als technischer Fachhochschul- oder Universitätsabsolvent in einem technischen-physikalischen Bereich. Kenntnisse in Ultrahochvakuumtechnologie und molekularer Strahlepitaxie kristalliner Halbleiterschichten sind erforderlich.

Arbeitsort / Rahmenbedingungen

Die Stelle befindet sich am Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF. Die Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich können leistungsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewährt werden. Das Fraunhofer Institute fördert die Vielfalt der Fähigkeiten seiner Mitarbeiter und begrüßt Bewerbungen unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Ideologie, Behinderung, sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt.